[发明专利]一种长寿命铬版光刻掩膜版及其制备方法在审
| 申请号： | 202011426863.7 | 申请日： | 2020-12-09 |
| 公开（公告）号： | CN114613666A | 公开（公告）日： | 2022-06-10 |
| 发明（设计）人： | 殷方军;孙春明;苏建;郑兆河;徐现刚 | 申请（专利权）人： | 山东华光光电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;H01L21/033 |
| 代理公司： | 济南金迪知识产权代理有限公司 37219 | 代理人： | 孙倩文 |
| 地址： | 250101 山东省济*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种长寿命铬版光刻掩膜版及其制备方法，属于半导体光刻技术领域，本发明的基板上设置有凹槽，金属掩膜层位于凹槽的底部及侧壁上，金属掩膜层的高度小于凹槽的深度，制备方法包括：在透明基板上均匀涂覆一层负性光刻胶并进行曝光和显影处理，使用湿法刻蚀或干法刻蚀工艺在没有光刻胶覆盖区域腐蚀出深度为300～400nm的凹槽，之后在基板上沉积一层金属掩膜层，最后剥离得到与设计图案一致的光刻掩膜版。本发明将金属铬薄膜层沉积在凹槽结构内，通过凹槽对金属铬薄膜层进行保护，避免了金属铬薄膜层突出而导致容易发生硌伤等缺陷而发生漏光。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 寿命 光刻 掩膜版 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
