[发明专利]一种同轴磁纳米电缆的制备方法有效

专利信息
申请号: 202011428185.8 申请日: 2020-12-09
公开(公告)号: CN112599348B 公开(公告)日: 2022-03-22
发明(设计)人: 徐靖才;王新庆;洪波;彭晓领;金红晓;金顶峰;葛洪良 申请(专利权)人: 中国计量大学
主分类号: H01F41/02 分类号: H01F41/02;H01F1/01;H01F1/00;B22F9/20;B82Y30/00;B82Y40/00
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 310018 浙江省*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明涉及一种反铁磁氧化物/铁磁金属/碳化物/碳纳米管复合材料的制备方法。该方法利用碳纳米管石墨层的同轴性与碳元素的还原性合成一种基于交换偏置效应多层同轴磁纳米电缆(反铁磁氧化物/铁磁金属/碳化物/碳纳米管,CoO/Co/Co2C/CNTs),构造壳/核/核/碳基四元磁纳米同轴结构,并引入碳化物功能因子,依靠反铁磁层与铁磁层间的交换偏置效应来提高材料的有效各向异性场,从而提高复合材料的矫顽力。本发明的方法无需通氢气还原,直接利用CNTs碳元素还原得到铁磁层,并包含了弱铁磁层碳化物功能因子,且反铁磁层、铁磁层和碳化物层的微结构可控,进而可以调控同轴磁纳米电缆的交换偏置效应性能。
搜索关键词: 一种 同轴 纳米 电缆 制备 方法
【主权项】:
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