[发明专利]一种液态金衬底表面二硫化钨单晶生长方法在审
| 申请号： | 202011428845.2 | 申请日： | 2020-12-09 |
| 公开（公告）号： | CN112359420A | 公开（公告）日： | 2021-02-12 |
| 发明（设计）人： | 兰飞飞;张嵩;董增印;王再恩;王健;李佳起;杨丹丹;张颖;李强 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第四十六研究所 |
| 主分类号： | C30B29/46 | 分类号： | C30B29/46;C30B25/00 |
| 代理公司： | 天津中环专利商标代理有限公司 12105 | 代理人： | 王凤英 |
| 地址： | 300220*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种液态金衬底表面二硫化钨单晶生长方法。步骤是：三氧化钨粉末置于石英舟中，将金衬底置于蓝宝石衬底表面，再置于石英凹槽中，将石英管放入系统抽真空，对系统进行升温，达到生长温度后对硫粉进行加热，向系统内通入硫蒸汽，开始进行WS |
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| 搜索关键词： | 一种 液态 衬底 表面 硫化 钨单晶 生长 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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