[发明专利]光传感器和显示装置有效
申请号: | 202011430485.X | 申请日: | 2020-12-07 |
公开(公告)号: | CN112599630B | 公开(公告)日: | 2022-06-10 |
发明(设计)人: | 蔡广烁 | 申请(专利权)人: | TCL华星光电技术有限公司 |
主分类号: | H01L31/113 | 分类号: | H01L31/113;H01L27/144 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 远明 |
地址: | 518132 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本申请实施例提供一种光传感器和显示装置,该光传感器包括衬底、栅极层、栅极绝缘层、有源层、源漏极层、保护层,其中,光传感器包括光传感器电路,光传感器电路包括光传感器晶体管和开关晶体管,光传感晶体管包括第一有源图案,开关晶体管包括第二有源图案,第一有源图案的材料包括非晶硅,第一有源图案的沟道区的厚度等于或者大于5000埃;本申请实施例通过采用光传感晶体管和开关晶体管形成光传感器电路,并在结构设计中,采用非晶硅作为光传感晶体管的第一有源图案,使得第一有源层图案的沟道区的厚度等于或者大于5000埃,从而提高了光传感晶体管的光生载流子数量,从而使得光传感器的响应较高,提高了指纹或者指纹识别成功率。 | ||
搜索关键词: | 传感器 显示装置 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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