[发明专利]一种二维卤化钙钛矿单晶体生长形态的控制方法在审
| 申请号： | 202011430780.5 | 申请日： | 2020-12-07 |
| 公开（公告）号： | CN112663141A | 公开（公告）日： | 2021-04-16 |
| 发明（设计）人： | 邵宇川;陈烙然;邵建达;王虎;王雪岩 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海光学精密机械研究所 |
| 主分类号： | C30B29/12 | 分类号： | C30B29/12;C30B7/08 |
| 代理公司： | 上海恒慧知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31317 | 代理人： | 张宁展 |
| 地址： | 201800 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本申请公开一种二维卤化钙钛矿单晶体生长形态的控制方法，用于生成各种形态的二维卤化钙钛矿单晶体，以用于各种用途。所述二维卤化钙钛矿单晶体生长形态的控制方法包括以下步骤：制备二维卤化钙钛矿饱和溶液；以预设降温速率降低所述二维卤化钙钛矿饱和溶液的温度，以在所述二维卤化钙钛矿饱和溶液的上表面形成预设尺寸的单晶体。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 二维 卤化 钙钛矿 单晶体 生长 形态 控制 方法 | ||
【主权项】：
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