[发明专利]绝缘体硅片的切割方法及芯片在审

专利信息
申请号: 202011432144.6 申请日: 2020-12-09
公开(公告)号: CN112536535A 公开(公告)日: 2021-03-23
发明(设计)人: 李豪;吴庆才 申请(专利权)人: 苏州工业园区纳米产业技术研究院有限公司
主分类号: B23K26/38 分类号: B23K26/38;H01L21/78
代理公司: 苏州谨和知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32295 代理人: 唐静芳
地址: 215000 江苏省苏州市苏州工业*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 本申请涉及一种绝缘体硅片的切割方法及芯片,其包括以下步骤:S1、提供绝缘体硅片和激光,所述绝缘体硅片具有自下而上依次设置的底硅、绝缘层和顶硅;S2、将所述激光聚焦到所述绝缘体硅片中,以形成一条或多条自裂改质层;S3、沿所述自裂改质层对所述绝缘体硅片进行切割。该绝缘体硅片的切割方法及芯片,通过激光隐形切割的方式,将激光聚焦于绝缘体硅片内部,在绝缘体硅片内部形成改质层,最后通过扩展胶膜等方法将绝缘体硅片分割成芯片。并且,采用干式加工工艺,无需经过水处理程序,无需与芯片其它部分接触,能显著抑制芯片切割过程中崩边、硅渣,碎屑的产生,保证了芯片的性能,有利于后续封装。
搜索关键词: 绝缘体 硅片 切割 方法 芯片
【主权项】:
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