[发明专利]MOS晶体管及利用离子注入提高源漏掺杂浓度的方法有效
| 申请号： | 202011433575.4 | 申请日： | 2020-12-10 |
| 公开（公告）号： | CN112652663B | 公开（公告）日： | 2023-09-19 |
| 发明（设计）人： | 李梦华;罗军;许静 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/08;H01L29/36;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京辰权知识产权代理有限公司 11619 | 代理人： | 金铭 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种MOS晶体管及利用离子注入提高源漏掺杂浓度的方法，该MOS晶体管包括具有栅极的衬底；源漏区，位于所述栅极的两侧；所述源漏区包括第一区域以及位于其上方的第二区域，所述第一区域为采用离子注入方式形成；所述第二区域为在所述第一区域上采用预非晶化注入(PAI)以及离子注入形成。该MOS晶体管中在源漏区的表层区域形成第二区域，并且该第二区域为在第一区域上进行预非晶化注入(PAI)以及离子注入形成，可提高源漏掺杂浓度。 | ||
| 搜索关键词： | mos 晶体管 利用 离子 注入 提高 掺杂 浓度 方法 | ||
【主权项】：
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