[发明专利]高压非对称结构LDMOS器件及其制备方法有效
| 申请号： | 202011433850.2 | 申请日： | 2020-12-10 |
| 公开（公告）号： | CN112216745B | 公开（公告）日： | 2021-03-09 |
| 发明（设计）人： | 郁文;陈燕宁;付振;刘芳;王帅鹏;邓永峰 | 申请（专利权）人： | 北京芯可鉴科技有限公司;北京智芯微电子科技有限公司;国网信息通信产业集团有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/08;H01L29/40;H01L29/423;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京润平知识产权代理有限公司 11283 | 代理人： | 肖冰滨;王晓晓 |
| 地址： | 102200 北京市昌平区*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种高压非对称结构LDMOS器件及其制备方法。该LDMOS器件包括：漂移区和体区；漂移区的表面划分有第一区域和第二区域；体区的表面划分有第三区域和第四区域，第二区域和第四区域被第一栅介质层延伸覆盖；第一栅介质层的表面划分有第七区域，第七区域位于漂移区上方且被第二栅介质层覆盖；第二栅介质层的表面划分有第六区域和第五区域，第五区域以及第七区域以外的第一栅介质层被多晶硅栅延伸覆盖；漂移区的第一区域由表面向内形成有漏区；体区的第三区域由表面向内形成有源区，漏区深度大于源区深度。双层栅介质结构保障器件在高电压大电流条件下的工作可靠性。漏区结深大于源区结深，有效提升漏区对导电沟道的控制能力。 | ||
| 搜索关键词： | 高压 对称 结构 ldmos 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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