[发明专利]复合结构硅量子点及其制备方法和应用在审
申请号: | 202011434465.X | 申请日: | 2020-12-10 |
公开(公告)号: | CN112608731A | 公开(公告)日: | 2021-04-06 |
发明(设计)人: | 郑灵浪;高志飞;谢浩 | 申请(专利权)人: | 宁波革鑫新能源科技有限公司;刘国钧 |
主分类号: | C09K11/02 | 分类号: | C09K11/02;C09K11/59;B82Y20/00;B82Y10/00;B82Y30/00;B82Y40/00 |
代理公司: | 深圳盛德大业知识产权代理事务所(普通合伙) 44333 | 代理人: | 左光明 |
地址: | 315000 浙江省宁波市*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本发明提供了一种复合结构硅量子点及其制备方法与应用。所述复合结构硅量子点制备方法包括如下步骤:将硅的无机氧化物粉体在含有还原性气体的环境中进行等离子处理,将部分所述硅的无机氧化物还原反应,然后冷却处理,生成复合结构硅量子点。所述复合结构硅量子点包括核体和包覆于所述核体的壳层,且所述核体的材料为硅量子点,所述壳层的材料为二氧化硅。所述复合结构硅量子点的制备方法能够一步生成复合结构硅量子点,提高了生产效率,降低了生成成本。另外,由于本发明制备方法能一步生成复合结构硅量子点,条件易控,能够保证生成的复合结构硅量子点发光性能稳定,而且生成的复合结构硅量子点粒径小,颗粒均匀,且为核壳的复合结构。 | ||
搜索关键词: | 复合 结构 量子 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】:
暂无信息
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