[发明专利]硅掺杂铁基聚阴离子化合物及其制备方法和应用有效
| 申请号： | 202011434760.5 | 申请日： | 2020-12-10 |
| 公开（公告）号： | CN112582608B | 公开（公告）日： | 2021-10-01 |
| 发明（设计）人： | 简宏希;杨华;夏元华;孙光爱;胡启威;童剑飞;傅世年;简宏良;黄宝琴;王滔;宋健锐;黃允然;梅龙伟;鲁琪;李常峰;刘新智;罗万居 | 申请（专利权）人： | 散裂中子源科学中心;中国科学院高能物理研究所 |
| 主分类号： | H01M4/58 | 分类号： | H01M4/58;H01M4/36;H01M4/525;H01M10/0525 |
| 代理公司： | 南京冠誉至恒知识产权代理有限公司 32426 | 代理人： | 夏恒霞 |
| 地址： | 523803 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： |
本发明公布了一种具有三维离子及电子扩散路径晶体结构的硅掺杂铁基聚阴离子化合物Fe |
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| 搜索关键词： | 掺杂 聚阴离子 化合物 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
暂无信息
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