[发明专利]一种SE电池碱刻蚀方法以及SE电池在审
| 申请号： | 202011436188.6 | 申请日： | 2020-12-07 |
| 公开（公告）号： | CN114597283A | 公开（公告）日： | 2022-06-07 |
| 发明（设计）人： | 叶晓亚;曹芳;周思洁;邹帅;王栩生 | 申请（专利权）人： | 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司;阿特斯阳光电力集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 巩克栋 |
| 地址： | 215129 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种SE电池碱刻蚀方法以及SE电池，所述方法依次包括背面去PSG、正面氧化、背面碱刻蚀和去除正面氧化层的步骤，所述正面氧化为在背面去PSG后的硅片正面覆盖酸液，而后在紫外灯管的照射下进行光催化氧化，在正面形成氧化层。本发明的SE电池碱刻蚀方法可实现SE电池背面碱抛，同时保护正面开口区域，有效提升电池效率，无需额外的昂贵设备，操作简单，成本低。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 se 电池 刻蚀 方法 以及 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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