[发明专利]一种基于涡流效应的中高频交变磁场强度的测量方法有效
| 申请号： | 202011436639.6 | 申请日： | 2020-12-10 |
| 公开（公告）号： | CN112684388B | 公开（公告）日： | 2021-10-15 |
| 发明（设计）人： | 张伟;余小刚;吴承伟 | 申请（专利权）人： | 大连理工大学 |
| 主分类号： | G01R33/10 | 分类号： | G01R33/10;G01R33/00 |
| 代理公司： | 大连理工大学专利中心 21200 | 代理人： | 李晓亮;潘迅 |
| 地址： | 116024 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 一种基于涡流效应的中高频交变磁场强度的测量方法，属于交变磁场的测量领域。本发明基于金属导体在交变磁场的作用下会通过涡流效应而产生热量的原理，通过测量金属导体在交变磁场作用下的产热量来计算交变磁场的强度。本发明选用的材料简单且非常常见，交变磁场测量探头制作工艺简单，测量方法经济方便，显著降低了中高频交变磁场的测量成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 涡流 效应 高频 磁场强度 测量方法 | ||
【主权项】：
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