[发明专利]一种砷化镓单晶生长装置及生长方法在审

专利信息
申请号: 202011439182.4 申请日: 2020-12-10
公开(公告)号: CN112359409A 公开(公告)日: 2021-02-12
发明(设计)人: 王金灵;周铁军;严卫东;马金峰 申请(专利权)人: 广东先导先进材料股份有限公司
主分类号: C30B11/00 分类号: C30B11/00;C30B29/42
代理公司: 广州三环专利商标代理有限公司 44202 代理人: 颜希文;王朝毅
地址: 511517 广东省清*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明提供一种砷化镓单晶生长装置及生长方法,砷化镓单晶生长装置包括石英帽、石英管和氮化硼坩埚;在xyz的三维空间直角坐标系中,所述氮化硼坩埚置于所述石英管内部并且所述石英帽与所述石英管密封连接后,所述石英帽壁的内表面的空间位置符合函数关系f1(x,y,z),所述石英管壁的内表面的空间位置符合函数关系f2(x,y,z),所述坩埚壁的外表面符合函数关系f3(x,y,z)。本发明的砷化镓单晶生长装置可以显著提高大直径砷化镓单晶载离子浓度的均匀性,降低大直径砷化镓单晶载离子浓度的不均匀性,降低砷化镓单晶的位错密度;提高砷化镓单晶的质量,提高砷化镓单晶的直径,砷化镓单晶的生长直径达到150~202mm。
搜索关键词: 一种 砷化镓单晶 生长 装置 方法
【主权项】:
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