[发明专利]氮化硅沉积方法及半导体装置的制造方法在审
| 申请号： | 202011439749.8 | 申请日： | 2020-12-10 |
| 公开（公告）号： | CN114628254A | 公开（公告）日： | 2022-06-14 |
| 发明（设计）人： | 李殷廷;金东盱;白国斌;高建峰;杨涛;李俊峰;王文武 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/318 | 分类号： | H01L21/318 |
| 代理公司： | 北京辰权知识产权代理有限公司 11619 | 代理人： | 金铭 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本申请涉及半导体制造领域，具体涉及一种氮化硅沉积方法及半导体装置的制造方法，提供反应腔室，所述反应腔室内放置有待处理晶圆；对所述反应腔室进行升温，使所述反应腔室升温至起始沉积温度，然后通入反应气体进行沉积；控制降温速率对所述反应腔室进行降温，使所述反应腔室自所述起始沉积温度降温到正常沉积温度，并保持在正常沉积温度；其中，所述正常沉积温度小于所述起始沉积温度。在升温过程和降温过程中也导入反应气体进行薄膜的扩散沉积，从而使整个扩散沉积中形成一个良好的温差互补，使得最终制备出的薄膜厚度均匀。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化 沉积 方法 半导体 装置 制造 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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