[发明专利]集成芯片及形成晶体管装置的方法在审
| 申请号： | 202011439824.0 | 申请日： | 2020-12-11 |
| 公开（公告）号： | CN112993037A | 公开（公告）日： | 2021-06-18 |
| 发明（设计）人： | 刘铭棋 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/40;H01L21/336 |
| 代理公司： | 南京正联知识产权代理有限公司 32243 | 代理人： | 王素琴 |
| 地址： | 中国台湾新竹科*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 在一些实施例中，本公开涉及一种包括栅极介电层、栅极电极、场板介电层及场板的集成芯片。栅极介电层配置在衬底之上及源极区与漏极区之间。栅极电极配置在栅极介电层之上。场板介电层配置在衬底之上及栅极介电层与漏极区之间。场板配置在场板介电层之上且与栅极介电层间隔开。 | ||
| 搜索关键词： | 集成 芯片 形成 晶体管 装置 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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