[发明专利]一种基于电子束曝光机的变栅距光栅传感器制备方法有效
| 申请号： | 202011442919.8 | 申请日： | 2020-12-08 |
| 公开（公告）号： | CN112526661B | 公开（公告）日： | 2022-06-21 |
| 发明（设计）人： | 祝连庆;赵佳麒;何巍;张雯;孙广开;董明利;李红 | 申请（专利权）人： | 北京信息科技大学 |
| 主分类号： | G02B5/18 | 分类号： | G02B5/18;G03F7/20 |
| 代理公司： | 北京恒律知识产权代理有限公司 11416 | 代理人： | 庞立岩;顾珊 |
| 地址： | 100085 北京市海淀区清*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 为了实现对位移的测量，本发明提出一种基于电子束曝光机的变栅距光栅传感器。本发明采用电子束曝光机制备完成，其中电子束曝光机刻写函数由matlab进行模拟，并通过pioneer函数库进行文件转化，最后将转化文件经由电子束曝光机刻制在玻片上，实现变栅距光栅传感器。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 电子束 曝光 变栅距 光栅 传感器 制备 方法 | ||
【主权项】：
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