[发明专利]一种计算离子漏斗在低真空流体场下离子通过率的方法在审
| 申请号： | 202011442932.3 | 申请日： | 2020-12-08 |
| 公开（公告）号： | CN114626310A | 公开（公告）日： | 2022-06-14 |
| 发明（设计）人： | 李海洋;徐楚婷;王卫国;王伟民;阮慧文;李金旭 | 申请（专利权）人： | 中国科学院大连化学物理研究所 |
| 主分类号： | G06F30/28 | 分类号： | G06F30/28;G06F113/08;G06F119/08;G06F119/14 |
| 代理公司： | 沈阳科苑专利商标代理有限公司 21002 | 代理人： | 许宗富 |
| 地址： | 116023 辽宁省*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种计算离子漏斗在低真空流体场下离子通过率的方法包括：将测量的离子漏斗结构数据和载气气流量输入Fluent中计算得到对应结构模型和流体场；Simion导入Fluent计算得到的结构模型和流体场，这其中包括速度场，温度场，压力场等；Simion模拟离子光学并计算离子通过率。本发明建立了用于将Fluent软件计算得到的流体场导入离子光学Simion中进行仿真计算的方法，使用该方法有助于Simion进行低真空和常压下的离子光学模拟，离子通过率的计算有助于指导离子漏斗的设计和气流设置，对于质谱的离子传输和工程应用都具有一定的指导意义。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 计算 离子 漏斗 真空 流体 通过 方法 | ||
【主权项】：
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