[发明专利]一种绝缘体上硅结构及其方法在审
| 申请号： | 202011443228.X | 申请日： | 2020-12-08 |
| 公开（公告）号： | CN112582332A | 公开（公告）日： | 2021-03-30 |
| 发明（设计）人： | 魏星;高楠;薛忠营 | 申请（专利权）人： | 上海新昇半导体科技有限公司;中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762;H01L21/324;H01L27/12 |
| 代理公司： | 上海思捷知识产权代理有限公司 31295 | 代理人： | 王宏婧 |
| 地址： | 201306 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供的一种绝缘体上硅结构及其方法，所述绝缘体上硅结构的方法包括以下步骤：提供一键合结构，所述键合结构包括第一衬底、第二衬底和绝缘埋层，所述绝缘埋层位于所述第一衬底和第二衬底之间；从所述键合结构上剥离去除部分厚度的所述第一衬底，以得到绝缘体上硅结构；通过恒温退火工艺平坦化处理所述绝缘体上硅结构，所述恒温退火工艺的压强低于常压。本发明通过恒温退火工艺平坦化处理所述绝缘体上硅结构，所述恒温退火工艺的压强低于常压，可以有效减少滑移线的数量，同时不会影响顶层硅的平坦化效果。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 绝缘体 结构 及其 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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