[发明专利]发光二极管外延片制备方法有效
| 申请号： | 202011443563.X | 申请日： | 2020-12-08 |
| 公开（公告）号： | CN112687769B | 公开（公告）日： | 2022-04-15 |
| 发明（设计）人： | 洪威威;尚玉平;梅劲;董彬忠 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（浙江）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 吕耀萍 |
| 地址： | 322000 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了发光二极管外延片制备方法，属于发光二极管制作领域。在通入一段时间有机金属源进入反应腔后，金属有机化合物化学气相淀积设备的喷头处也会留下部分氮化物的附着物颗粒，间歇性地向反应腔内通入有机金属源，并在每次停止向反应腔内通入有机金属源的期间，反应腔内同时通入载气与氯气，氯气进入反应腔内之前会先与附着在喷头上的附着物颗粒之间反应，并形成气态氯化物。喷头上会附着的氮化物的附着物颗粒与氯气反应并以气态状最后会排出反应腔，由此减小喷头上附着的氮化物的附着物颗粒，会落入氮化物外延层内的附着物颗粒减少，氮化物外延层的晶体质量与表面平整度均会得到提高。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 外延 制备 方法 | ||
【主权项】：
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