[发明专利]具有高台阶结构的硅片的金属剥离工艺在审
| 申请号： | 202011444807.6 | 申请日： | 2020-12-11 |
| 公开（公告）号： | CN112563129A | 公开（公告）日： | 2021-03-26 |
| 发明（设计）人： | 耿增华;宋厚伟 | 申请（专利权）人： | 苏州工业园区纳米产业技术研究院有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/285 |
| 代理公司： | 苏州谨和知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32295 | 代理人： | 唐静芳 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州市苏州工业*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种具有高台阶结构的硅片的金属剥离工艺，包括以下步骤：S1、提供硅片，所述硅片具有台阶结构，在所述硅片上定义金属电极区域和非金属电极区域；S2、在所述非金属电极区域上设置感光性干膜；S3、在所述硅片上蒸发金属，通过金属剥离工艺将所述感光性干膜和其上的金属进行剥离，保留所述金属电极区域内的金属。该具有高台阶结构的硅片的金属剥离工艺可以使具有高台阶结构的硅片上的金属剥离干净，避免造成产品异常。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 台阶 结构 硅片 金属 剥离 工艺 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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