[发明专利]一种光电三极管放大倍数调整的方法有效
| 申请号： | 202011445113.4 | 申请日： | 2020-12-08 |
| 公开（公告）号： | CN112635347B | 公开（公告）日： | 2021-10-26 |
| 发明（设计）人： | 陈益群;陈泓翰;顾汉玉 | 申请（专利权）人： | 深圳群芯微电子有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L31/11 |
| 代理公司： | 深圳市道勤知酷知识产权代理事务所(普通合伙) 44439 | 代理人： | 何兵;吕诗 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市福田区华强北街道*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明揭示了一种光电三极管放大倍数调整的方法，包括：在第一光电三极管的基极区的预设区域设置遮光区，其中，第一光电三极管包含于晶圆上的所有光电三极管；开启晶圆测试，判断第一光电三极管的HFE值是否等于预设值；若否，则根据第一光电三极管的测试值与预设值的差值，使用激光修调工艺，缩小遮光区的面积，以调整第一光电三极管的HFE值，使调整后的HFE值等于预设值；再次判断第一光电三极管的HFE值是否等于预设值；若是，则第一光电三极管放大倍数调整结束。通过测试和调整，使得光电三极管的HFE值保持一致，同一个晶圆上的管芯参数变化范围小。此外，可根据需要将光电三极管的参数调整到指定的参数范围。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 光电 三极管 放大 倍数 调整 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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