[发明专利]电子束激发半导体发光性能测试平台和激发参数优化方法有效
| 申请号： | 202011446278.3 | 申请日： | 2020-12-09 |
| 公开（公告）号： | CN112595703B | 公开（公告）日： | 2023-04-18 |
| 发明（设计）人： | 黄善杰;王岭雪;许方宇;蔡毅;吴刚;马俊卉;邓波 | 申请（专利权）人： | 中国科学院云南天文台 |
| 主分类号： | G01N21/66 | 分类号： | G01N21/66;G01M11/02 |
| 代理公司： | 昆明正原专利商标代理有限公司 53100 | 代理人： | 亢能;陈左 |
| 地址： | 650000 云*** | 国省代码： | 云南;53 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种电子束激发半导体发光性能测试平台和激发参数优化方法，该方法包括确定入射电子能量和电子束流量密度范围、等间隔采样并获取电子束参数组合、计算不同电子束参数组合对应的“次级”电子数量、初选电子束参数组合、实测初选电子束参数组合的发光性能、获取发光性能全局最优的电子束参数组合。本发明可以针对不同的发光性能需求，给出全局最优的电子束参数组合。 | ||
| 搜索关键词： | 电子束 激发 半导体 发光 性能 测试 平台 参数 优化 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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