[发明专利]三维非易失性存储器装置及其制造方法

摘要

提供了三维非易失性存储器装置及其制造方法。该三维非易失性存储器装置包括：基板，其包括单元区域和具有阶梯结构的延伸区域；垂直结构，其在基板上；堆叠结构，其在基板上具有电极层和层间绝缘层；隔离绝缘层，其在基板上并隔离开电极层；以及通孔布线区域，其与单元区域或延伸区域相邻并具有穿过基板的通孔，其中，单元区域包括其中布置有正常单元的主单元区域和边缘单元区域，隔离绝缘层包括在主单元区域中的主隔离绝缘层和在边缘单元区域中的边缘隔离绝缘层，并且主隔离绝缘层的下表面高于基板的上表面并具有与边缘隔离绝缘层的下表面不同的深度。