[发明专利]一种基于石墨烯的场效应晶体管的制备系统及制备方法有效
| 申请号： | 202011446473.6 | 申请日： | 2020-12-11 |
| 公开（公告）号： | CN112599593B | 公开（公告）日： | 2023-01-13 |
| 发明（设计）人： | 陈长鑫;贺志岩;周庆萍;吴登祺;江圣昊;石方远 | 申请（专利权）人： | 上海交通大学 |
| 主分类号： | H01L29/16 | 分类号： | H01L29/16;H01L29/423;H01L21/335;H01L29/772;H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京国坤专利代理事务所(普通合伙) 11491 | 代理人： | 王峰刚 |
| 地址： | 200240*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明属于半导体制造技术领域，公开了一种基于石墨烯的场效应晶体管的制备系统及制备方法，所述基于石墨烯的场效应晶体管的制备系统包括：氧化层掩膜制备模块、环形栅极结构形成模块、中央控制模块、第一离子掺杂区域形成模块、侧墙结构形成模块、第二离子掺杂区域形成模块、隔离层形成模块、金属电极形成模块、场效应晶体管处理模块。本发明通过在外延层硅衬底上形成氧化层掩膜和环形栅极结构，减小栅极结构的平面面积和栅极电容，有效提高场效应晶体管的开关速率；同时，在石墨烯表面组装周期性排列的纳米微球阵列，蒸镀Al、Cu、Ni等，去除纳米微球，以此为掩膜制备场效应晶体管，具有较大的电流开关比，大大提升检测的灵敏度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 石墨 场效应 晶体管 制备 系统 方法 | ||
【主权项】：
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