[发明专利]半导体器件在审
| 申请号： | 202011447002.7 | 申请日： | 2020-12-09 |
| 公开（公告）号： | CN112951835A | 公开（公告）日： | 2021-06-11 |
| 发明（设计）人： | 辛承俊;金是完;崔凤贤 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/11524 | 分类号： | H01L27/11524;H01L27/11529;H01L27/11548;H01L27/11556;H01L27/1157;H01L27/11573;H01L27/11575;H01L27/11582 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 翟然 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种半导体器件包括下部结构、在下部结构上并从存储器单元区域延伸到连接区域中的堆叠结构、在堆叠结构上在连接区域中的栅极接触插塞、以及在存储器单元区域中穿过堆叠结构的存储器垂直结构，其中堆叠结构包括交替堆叠的层间绝缘层和水平层，其中，在连接区域中，堆叠结构包括阶梯区域和平坦区域，其中阶梯区域包括降低的垫，其中平坦区域包括平坦垫区域、平坦边缘区域以及在平坦垫区域与平坦边缘区域之间的平坦虚设区域，以及其中栅极接触插塞包括在垫上的第一栅极接触插塞、在平坦垫区域上的平坦接触插塞和在平坦边缘区域上的平坦边缘接触插塞。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星电子株式会社，未经三星电子株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202011447002.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
