[发明专利]一种Sn-Co@void@C复合材料的制备方法及其应用在审
| 申请号： | 202011447166.X | 申请日： | 2020-12-09 |
| 公开（公告）号： | CN112750997A | 公开（公告）日： | 2021-05-04 |
| 发明（设计）人： | 黄斌;刘爽;李伟;李欣泽;杨建文;倪文浩 | 申请（专利权）人： | 桂林理工大学 |
| 主分类号： | H01M4/36 | 分类号： | H01M4/36;H01M4/38;H01M4/62;H01M10/054;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 541004 广*** | 国省代码： | 广西;45 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种Sn‑Co@void@C复合材料的制备发方法及其应用。通过共沉淀法合成CoSn(OH) |
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| 搜索关键词： | 一种 sn co void 复合材料 制备 方法 及其 应用 | ||
【主权项】：
暂无信息
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