[发明专利]一种具有硫组分梯度的铜锌锡硫硒薄膜的制备方法有效
| 申请号： | 202011448304.6 | 申请日： | 2020-12-09 |
| 公开（公告）号： | CN112563117B | 公开（公告）日： | 2023-06-06 |
| 发明（设计）人： | 王书荣;杨帅;徐信;李新毓;李祥;王亭保 | 申请（专利权）人： | 云南师范大学 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L31/0216;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京慕达星云知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11465 | 代理人： | 王攀 |
| 地址： | 650500 云*** | 国省代码： | 云南;53 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有硫组分梯度的铜锌锡硫硒薄膜的制备方法，包括以下步骤：将钠钙玻璃放入磁控溅射腔室，沉积双层钼背电极；利用磁控溅射系统，按ZnS/CuS/Sn/CuS的顺序进行多周期分步溅射，沉积铜锌锡硫预制层薄膜；将预制层在氩气条件下低温合金、后高温硒化制备出铜锌锡硒薄膜；将制备的铜锌锡硒薄膜放置于硫化炉进行硫的等离子体硫化，待S等离子体硫化结束后取出样品，冷却，得到具有硫组分梯度的铜锌锡硫硒薄膜，本发明的方法能够制备出高质量的具有带隙梯度的铜锌锡硫硒吸收层薄膜。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 组分 梯度 铜锌锡硫硒 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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