[发明专利]OLED器件及其制造方法有效
| 申请号： | 202011449993.2 | 申请日： | 2020-12-09 |
| 公开（公告）号： | CN112599572B | 公开（公告）日： | 2022-12-06 |
| 发明（设计）人： | 马莉娜 | 申请（专利权）人： | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/32 | 分类号： | H01L27/32;H01L51/56 |
| 代理公司： | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人： | 裴磊磊 |
| 地址： | 518132 广东省深*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请提供了一种OLED器件及其制造方法。所述OLED器件包括：阵列层；第一电极层，设置在所述阵列层一侧；像素定义层，设置在所述第一电极层远离所述阵列层的一侧，包括多个开口区域；有机功能层，设置在所述第一电极层远离所述阵列层的一侧，并位于所述开口区域中；以及第二电极层，形成在所述有机功能层远离所述第一电极层的一侧，其中，所述像素定义层与所述有机功能层接触的侧表面具有不规则形状。本申请的OLED器件通过具有不规则侧表面的像素定义层改善有机功能层厚度不均匀及发光不均匀的问题。 | ||
| 搜索关键词： | oled 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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