[发明专利]芯片及其制备方法在审
| 申请号： | 202011450019.8 | 申请日： | 2020-12-09 |
| 公开（公告）号： | CN114613663A | 公开（公告）日： | 2022-06-10 |
| 发明（设计）人： | 李凯;袁述 | 申请（专利权）人： | 江苏中科汉韵半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/304;H01L21/67;H01L29/06;H01L29/16 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 胡影;李红标 |
| 地址： | 221000 江苏省徐州市经济*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供一种芯片及其制备方法，该制备方法包括以下步骤：S1、将碳化硅棒切割为多个碳化硅衬底片，每个所述碳化硅衬底片的厚度小于第一设定值；S2、在所述碳化硅衬底片的至少一侧设置辅助层，得到复合片，所述复合片的总厚度大于第二设定值，所述第二设定值大于所述第一设定值；S3、对所述复合片进行加工，得到芯片；S4、去除所述芯片上的所述辅助层。本发明实施例的芯片的制备方法，通过将碳化硅晶锭切割成多个薄衬底片，并在每个薄衬底片上设置辅助层，得到复合片，防止薄衬底片在加工过程破碎，最后再将复合片加工得到碳化硅芯片后，去除辅助层，得到厚度较薄的碳化硅芯片，有效降低芯片制造的成本。 | ||
| 搜索关键词： | 芯片 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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