[发明专利]微发光二极管晶粒的定位和去除方法及设备在审
| 申请号： | 202011450264.9 | 申请日： | 2020-12-09 |
| 公开（公告）号： | CN112582294A | 公开（公告）日： | 2021-03-30 |
| 发明（设计）人： | 黄朝葵;于波;李庆;韦冬 | 申请（专利权）人： | 苏州芯聚半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L21/67;H01L33/00 |
| 代理公司： | 苏州威世朋知识产权代理事务所(普通合伙) 32235 | 代理人： | 常伟 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种微发光二极管晶粒定位和去除方法和设备，所述微发光二极管晶粒定位和去除方法包括：S1、获取衬底上的多个微发光二极管晶粒的测试文档，所述测试文档包括每一微发光二极管晶粒的相对坐标位置及光电性能测试结果；S2、依据所述光电性能测试结果，将每一微发光二极管晶粒标记为第一代码或者第二代码；S3、更新所述第一代码和所述第二代码至所述测试文档中；以及S4、读取更新后的所述测试文档中的所述第一代码，获得与所述第一代码对应的一个或多个微发光二极管晶粒的相对坐标位置；其中，所述第一代码和所述第二代码相异。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 晶粒 定位 去除 方法 设备 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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