[发明专利]选通管相变存储集成单元及其制备方法、相变存储器件有效
| 申请号： | 202011450322.8 | 申请日： | 2020-12-09 |
| 公开（公告）号： | CN112652712B | 公开（公告）日： | 2022-08-12 |
| 发明（设计）人： | 徐明;徐开朗;缪向水 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;H01L27/24;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 杭州宇信知识产权代理事务所(普通合伙) 33231 | 代理人： | 张宇娟 |
| 地址： | 430074 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种选通管相变存储集成单元及其制备方法、相变存储器件，属于微纳米电子技术领域。在衬底上形成底电极；在底电极上制备绝缘层，对绝缘层进行图形化得到纳米孔，并通过纳米孔暴露出底电极；在纳米孔中填充相变存储材料；在相变存储材料远离底电极的一侧进行离子注入，以在纳米孔内远离底电极的一侧形成界面型选通管单元；在绝缘层上形成顶电极。通过对相变存储材料进行表面离子注入处理实现了界面型选通管单元的制备，并同时实现了界面型选通管单元与相变存储单元的集成，减少了工艺步骤。由于选通管材料由相变存储材料经过表面离子注入而得到，避免了相变存储单元和选通管单元界面的界面问题。 | ||
| 搜索关键词： | 选通管 相变 存储 集成 单元 及其 制备 方法 器件 | ||
【主权项】：
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