[发明专利]掺杂半导体层形成方法在审
| 申请号： | 202011450481.8 | 申请日： | 2020-12-09 |
| 公开（公告）号： | CN112993094A | 公开（公告）日： | 2021-06-18 |
| 发明（设计）人： | 维尔日妮·玛菲妮·阿尔瓦罗;休伯特·博诺;朱莉娅·西蒙 | 申请（专利权）人： | 原子能与替代能源委员会 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/06;H01L33/32 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 谭营营;胡彬 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种获得掺杂半导体层的方法，包括以下连续步骤：a)在由至少有第一元素A1和第二元素A2的半导体合金制成的第一单晶层中，进行所述合金的第一掺杂物元素B和对于所述合金的第二非掺杂物元素C的离子注入，以使第一层的上部非晶化并且保持第一层的下部的晶体结构；以及b)对所述第一层的上部进行固相再结晶退火，从而使所述第一层的上部转变为所述合金的掺杂单晶层。 | ||
| 搜索关键词： | 掺杂 半导体 形成 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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