[发明专利]一种功率半导体器件均压结构在审
| 申请号： | 202011450627.9 | 申请日： | 2020-12-10 |
| 公开（公告）号： | CN112838063A | 公开（公告）日： | 2021-05-25 |
| 发明（设计）人： | 李云鹏;谢剑;王治翔;王成昊;乔丽;高冲 | 申请（专利权）人： | 全球能源互联网研究院有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/32 | 分类号： | H01L23/32;H01L23/40;H01L25/07 |
| 代理公司： | 北京安博达知识产权代理有限公司 11271 | 代理人： | 徐国文 |
| 地址： | 102209 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种功率半导体器件均压结构，包括：半导体器件(3)、压装组件、平压块(2)和碟簧组件；所述碟簧组件包括碟簧压块(4)和多个碟簧(7)，所述碟簧(7)均匀布置，完全覆盖所述半导体器件(3)；所述压装组件为柱形结构，所述半导体器件(3)、所述平压块(2)和所述碟簧组件均设置于所述柱形结构内，通过所述压装组件对所述半导体器件(3)、所述平压块(2)和所述碟簧组件施加压力实现均压；本发明提供的一种功率半导体器件均压结构，结构紧凑，在获得较均匀压力的同时，使压装体的厚度尺寸较小，降低了压装体的重量；使用了带凸缘导向杆，可以对碟簧定位，凸缘的外径还用于导向。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 功率 半导体器件 结构 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于全球能源互联网研究院有限公司，未经全球能源互联网研究院有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202011450627.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种基于主动降维的高维贝叶斯优化方法
- 下一篇：番茄生产方法
