[发明专利]等离子体处理装置和等离子体处理方法在审
| 申请号： | 202011451572.3 | 申请日： | 2020-12-10 |
| 公开（公告）号： | CN112992643A | 公开（公告）日： | 2021-06-18 |
| 发明（设计）人： | 山岸幸司;白泽大辅 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32;H01L21/67;H01L21/3065 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种等离子体处理装置和等离子体处理方法，能够抑制副产物的向腔室内的未暴露于等离子体和为生成该等离子体而施加的高频电力的区域的沉积。腔室用于对基板进行等离子体处理。加热器与腔室内的未暴露于等离子体和为生成该等离子体而施加的高频电力的区域相对应地配置。加热器电源被设为能够向加热器供给脉冲状的电力。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体 处理 装置 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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