[发明专利]ScAlN/GaN高电子迁移率晶体管及其制作方法有效
| 申请号： | 202011452266.1 | 申请日： | 2020-12-10 |
| 公开（公告）号： | CN112542508B | 公开（公告）日： | 2022-03-04 |
| 发明（设计）人： | 薛军帅;刘芳;张进成;郝跃;李蓝星;孙志鹏;张赫朋;杨雪妍;姚佳佳 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/20;H01L29/778;H01L21/336 |
| 代理公司： | 陕西电子工业专利中心 61205 | 代理人： | 王品华;李勇军 |
| 地址： | 710071*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明涉及ScAlN/GaN高电子迁移率晶体管及其制作方法，主要解决现有氮化物微波功率器件同质外延界面漏电及工作频率低的问题。其自下而上包括衬底、成核层、GaN沟道层、AlN插入层和ScAlN势垒层，该插入层与势垒层之间设有InAlN帽层；该势垒层上部依次设有势垒保护层和绝缘栅介质层，该InAlN帽层至绝缘栅介质层的两侧设有制作源、漏电极的欧姆接触区。该结构中的成核层、GaN沟道层、AlN插入层和InAlN帽层采用MOCVD生长；ScAlN势垒层和势垒保护层采用MBE生长。本发明无同质外延界面寄生漏电，器件工作频率高，输出电流密度大，制作工艺简单，可用于高频微波功率放大器和微波毫米波集成电路。 | ||
| 搜索关键词： | scaln gan 电子 迁移率 晶体管 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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