[发明专利]一种基于超表面的近场双密钥加密方法有效

专利信息
申请号: 202011452331.0 申请日: 2020-12-10
公开(公告)号: CN112564814B 公开(公告)日: 2021-10-22
发明(设计)人: 陈奎先;郑国兴;李子乐 申请(专利权)人: 武汉大学
主分类号: H04B10/548 分类号: H04B10/548;H04B10/70;H04L9/14;H04N1/32
代理公司: 武汉科皓知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 42222 代理人: 胡琦旖
地址: 430072 湖*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 发明属于信息光学技术领域,公开了一种基于超表面的近场双密钥加密方法,将超表面作为公钥,将入射光的相位分布作为私钥;包括选择入射光的工作波长,优化纳米砖的尺寸参数,使得工作波长下的入射光入射至纳米砖时,纳米砖的交叉偏振转化效率最高、同向偏振转化效率最低;计算获得记录公钥图像的超表面的相位分布信息;确定纳米砖阵列中若干个纳米砖的方向角排布信息并在基底上进行排布,完成公钥的设计;计算获得入射光的相位分布信息,完成私钥的设计。本发明设计的算法简单,设计的自由度更高,安全性极强,且双密钥加密模式更加灵活。
搜索关键词: 一种 基于 表面 近场 密钥 加密 方法
【主权项】:
暂无信息
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