[发明专利]一种绝压接触式MEMS电容薄膜真空计在审
| 申请号： | 202011453071.9 | 申请日： | 2020-12-11 |
| 公开（公告）号： | CN112763129A | 公开（公告）日： | 2021-05-07 |
| 发明（设计）人： | 李刚;成永军;何申伟;孙雯君;习振华;裴晓强;张瑞芳;杨利;高洁 | 申请（专利权）人： | 兰州空间技术物理研究所 |
| 主分类号： | G01L9/12 | 分类号： | G01L9/12 |
| 代理公司： | 北京理工大学专利中心 11120 | 代理人： | 代丽 |
| 地址： | 730000 甘*** | 国省代码： | 甘肃;62 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种绝压接触式MEMS电容薄膜真空计，采用接触式结构能够使真空计的测量曲线，即真空度‑电容曲线具有分段线性的特点，解决了感压薄膜大挠度变形非线性的问题，提升了真空计的测量性能；同时，接触式结构可以防止感压薄膜在高压力作用下受到破坏，提高真空规的测量范围。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 接触 mems 电容 薄膜 真空计 | ||
【主权项】：
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