[发明专利]场效应晶体管结构及其形成方法在审
| 申请号： | 202011453143.X | 申请日： | 2020-12-11 |
| 公开（公告）号： | CN114628514A | 公开（公告）日： | 2022-06-14 |
| 发明（设计）人： | 尹炅一;刘金彪;贺晓彬;唐波;杨涛;李俊峰 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京辰权知识产权代理有限公司 11619 | 代理人： | 刘广达 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种场效应晶体管结构及其形成方法，包括：半导体衬底；位于所述半导体衬底上方的栅极，所述栅极包括厚度不一致的栅电极层和栅介质层；位于所述栅极两侧且嵌入半导体衬底中的源极、漏极、源极延伸部和漏极延伸部，所述源极延伸部与所述漏极延伸部之间形成沟道；其中，所述漏极延伸部上方的栅介质层的厚度大于所述沟道上方的栅介质层的厚度。通过选择性的将栅极中的栅介质层的厚度做的不一致，即漏极延伸部(gate overlap)对应的栅介质层的厚度大于沟道部分对应的栅介质层的厚度，从而可以缓解漏极延伸部的电场，在电路中器件处于关态或者处于等待状态时，减少GIDL泄漏电流的影响。 | ||
| 搜索关键词： | 场效应 晶体管 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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