[发明专利]一种热调谐半导体芯片及其制备方法在审
| 申请号： | 202011455817.X | 申请日： | 2020-12-10 |
| 公开（公告）号： | CN112563878A | 公开（公告）日： | 2021-03-26 |
| 发明（设计）人： | 李景磊;赵建宜;张博 | 申请（专利权）人： | 武汉光迅科技股份有限公司;武汉电信器件有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/06 | 分类号： | H01S5/06;H01S5/028;H01S5/02 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人： | 崔晓岚;张颖玲 |
| 地址： | 430074 湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明实施例公开了一种热调谐半导体芯片及其制备方法，其中，所述热调谐半导体芯片包括：衬底，以及依次层叠于所述衬底上的牺牲层、悬浮层、支撑层和功能层；所述功能层用于向所述热调谐半导体芯片的热调谐电极传递热量；在所述衬底、所述牺牲层和所述悬浮层内形成有悬浮区域，所述悬浮区域为从所述悬浮层的上表面以下、延伸贯穿所述牺牲层、并终止于所述衬底内部的空腔结构，以使位于所述空腔结构上方的所述功能层与所述空腔结构下方剩余的部分所述衬底通过所述悬浮区域隔离；所述支撑层至少包括位于所述空腔结构上方的部分，以支撑位于所述空腔结构上方的所述功能层。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 调谐 半导体 芯片 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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