[发明专利]一种氮化镓晶体生长系统的泄放氨工序和生长方法有效
| 申请号： | 202011455906.4 | 申请日： | 2020-12-10 |
| 公开（公告）号： | CN112695373B | 公开（公告）日： | 2021-08-27 |
| 发明（设计）人： | 乔焜;邵文锋;林岳明 | 申请（专利权）人： | 国镓芯科（深圳）半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B7/10 | 分类号： | C30B7/10;C30B29/40 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市福田区华富*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种氮化镓晶体生长系统的泄放氨工序和生长方法，属于氮化镓晶体生产技术领域，泄放氨工序包括以下步骤：S1、反应容器内的液态氨自然挥发形成气态氨气，并排放至尾气处理装置中，直至反应容器内的压强恢复至一个大气压；S2、打开真空装置，反应容器内的剩余气态氨气抽至尾气处理装置中；S3、启动氮供应装置，向反应容器内充入氮气，直至反应容器内压强恢复至一个大气压；S4、重复S2‑S3步骤若干次，真空装置抽出反应容器内的气体，完成泄放氨工序；本发明通过氨气自然排出、抽气、充氮、再抽气、再充氮的循环，将反应容器内部的氨气浓度降至极低，从而大幅度地降低氨气残留于反应容器内，避免对操作者身体和环境造成的影响。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氮化 晶体生长 系统 泄放氨 工序 生长 方法 | ||
【主权项】：
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