[发明专利]力测量和触摸感测集成电路器件在审
| 申请号： | 202011455984.4 | 申请日： | 2020-12-11 |
| 公开（公告）号： | CN112978671A | 公开（公告）日： | 2021-06-18 |
| 发明（设计）人： | 唐浩晏;西纳·阿克巴里;陈曼嘉;涂仲轩;迈克尔·陈 | 申请（专利权）人： | 奥矽半导体技术有限公司 |
| 主分类号： | B81B7/00 | 分类号： | B81B7/00;B81B7/02;B81C1/00;G01L1/16;G06F3/041;G06F3/043;G06F3/044 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 石海霞;金鹏 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种力测量和触摸感测集成电路器件包括：半导体基板、覆盖在半导体基板上的薄膜压电叠层、压电微机械测力元件(PMFE)和压电微机械超声换能器(PMUT)。薄膜压电叠层包括压电层。PMFE和PMUT沿薄膜压电叠层位于相应的横向位置处，使得PMFE和PMUT中的每一个包括薄膜压电叠层的相应部分。每个PMFE具有：(1)薄膜压电叠层的相应部分；(2)在薄膜压电叠层的一侧上的第一PMFE电极；以及(3)在薄膜压电叠层的另一侧上的第二PMFE电极。每个PMFE被配置为根据由低频机械变形导致的压电层的相应部分处的时变应变，输出PMFE电极之间的电压信号。 | ||
| 搜索关键词： | 测量 触摸 集成电路 器件 | ||
【主权项】：
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