[发明专利]半导体器件

摘要

一种半导体器件被提供，其包括：衬底，具有在垂直于衬底的上表面的方向上突出的突出部分；在衬底上的源/漏区，源/漏区垂直于突出部分的上表面延伸；在源/漏区之间的衬底上的多个纳米片，多个纳米片彼此分离，并且多个纳米片限定在第一方向上延伸的沟道区；在衬底上并且围绕多个纳米片的栅电极，栅电极在交叉第一方向的第二方向上延伸，栅电极包括在第一方向上的长度，所述长度大于多个纳米片中的相邻纳米片之间的间隔；以及在多个纳米片和栅电极之间在衬底上的栅绝缘层。