[发明专利]CMOS图像传感器及其制备方法

摘要

本发明提供一种CMOS图像传感器及其制备方法，所述方法包括：提供一衬底，所述衬底上形成有第一环形沟槽，所述第一环形沟槽包括相对的第一子沟槽和第二子沟槽。对所述第一子沟槽执行离子注入工艺，以在所述第一子沟槽下方的衬底中形成阱区。采用绝缘介质填充所述第一环形沟槽，以形成第一浅沟槽隔离结构。对至少部分所述阱区以及所述第一浅沟槽隔离结构包围的部分所述衬底执行离子注入工艺，以形成第一光电二极管。因此，本发明通过在所述第一光电二极管的形成区域内形成所述阱区，并利用所述阱区阻挡光照，以替代挡光层，避免第一光电二极管过快饱和，降低其灵敏度。故本发明不仅降低成本，还对其他元器件没有干扰，提高成品率。