[发明专利]半导体装置组合件的无焊互连件在审
| 申请号： | 202011457380.3 | 申请日： | 2020-12-11 |
| 公开（公告）号： | CN112992705A | 公开（公告）日： | 2021-06-18 |
| 发明（设计）人： | 李仲培 | 申请（专利权）人： | 美光科技公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;H01L23/488 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 王龙 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本申请案涉及半导体装置组合件的无焊互连件。揭示具有无焊互连件的半导体装置组合件及相关联系统及方法。在一个实施例中，一种半导体装置组合件包含从半导体裸片延伸的第一导电柱及从衬底延伸的第二导电柱。所述第一导电柱可经由使用注入于所述第一与第二导电柱之间的无电镀液形成于所述第一与第二导电柱之间的中间导电结构连接到所述第二导电柱。所述第一及第二导电柱及所述中间导电结构可包含铜作为除焊接过程的金属间化合物IMC之外的共同主要组分。所述第一导电柱的第一侧壁表面可相对于所述第二导电柱的对应第二侧壁表面失准。未用IMC形成的此类互连件可改进所述半导体装置组合件的所述互连件的电及冶金特性。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 组合 互连 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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