[发明专利]用于蚀刻薄层的方法和设备在审
| 申请号： | 202011458403.2 | 申请日： | 2020-12-11 |
| 公开（公告）号： | CN112992726A | 公开（公告）日： | 2021-06-18 |
| 发明（设计）人： | 高定奭;李在晟;林度延;金局生;郑暎大;金泰信;李智暎;金源根;郑智训;金光燮;许弼覠;史允基;延蕊林;尹铉;金度延;徐溶晙;金昺槿;严永堤 | 申请（专利权）人： | 细美事有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/306 |
| 代理公司： | 上海和跃知识产权代理事务所(普通合伙) 31239 | 代理人： | 尹洪波 |
| 地址： | 韩国忠清南道天*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了用于蚀刻薄层的方法和设备，所述薄层包括形成在基板上的氮化硅。在所述基板上供应包括磷酸和水的蚀刻剂，使得在所述基板上形成液层。通过在所述薄层和所述蚀刻剂的反应来蚀刻所述薄层。测量所述液层的厚度，以在蚀刻所述薄层的同时检测所述液层的所述厚度的变化。基于所述液层的所述厚度的所述变化来计算所述磷酸和所述水的浓度的变化。基于所述磷酸和所述水的所述浓度的所述变化在所述基板上供应水，使得所述磷酸和所述水的所述浓度变为预定值。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 蚀刻 薄层 方法 设备 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
