[发明专利]半导体器件及其制造方法在审
| 申请号： | 202011461207.0 | 申请日： | 2020-12-08 |
| 公开（公告）号： | CN112510016A | 公开（公告）日： | 2021-03-16 |
| 发明（设计）人： | 冯奕程;黄宇恒;陈帮 | 申请（专利权）人： | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544;H01L21/308 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 曹廷廷 |
| 地址： | 430205 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件及其制造方法，其通过在相同工艺中形成伸入半导体基底的元器件和标记时，由于在所述标记开口和所述元器件开口的宽度大小不变时，刻蚀形成的标记开口的最大深度仍小于元器件开口的最小深度，如此在标记开口和元器件开口同时填充材料一形成标记和元器件时，针对深度较小的标记开口而言其填充性能佳，可进一步保障所形成的标记的形貌。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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