[发明专利]半导体器件及其制备方法有效
| 申请号： | 202011461680.9 | 申请日： | 2020-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN112234435B | 公开（公告）日： | 2021-03-09 |
| 发明（设计）人： | 潘彦廷;靳晨星;刘钿;师宇晨 | 申请（专利权）人： | 陕西源杰半导体技术有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/34 | 分类号： | H01S5/34;H01S5/343;H01L33/06 |
| 代理公司： | 北京华进京联知识产权代理有限公司 11606 | 代理人： | 孙岩 |
| 地址： | 710000 陕西省西安市西*** | 国省代码： | 陕西;61 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请涉及一种半导体器件及其制备方法。半导体器件中的有源层包括沿所述堆叠方向设置的第一量子阱层和第二量子阱层，其中，所述第一量子阱层与所述第二量子阱层的波长差为10nm至20nm，通过设置所述第一量子阱层与所述第二量子阱层的波长差异，使得所述有源层同时具备两类型量子阱，所形成整体的材料增益是由两组不同波长位置的材料增益所叠加，实现了单一半导体器件同时制作MWDM规范的2个通道半导体器件或是LWDM规范的4个通道半导体器件，有别于一般一片半导体器件只做一通道半导体器件的技术，有利于提升生产效率与良率，同时也因为外延结构设计保证的优势，避免工艺制作上的误差而影响产品性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于陕西源杰半导体技术有限公司，未经陕西源杰半导体技术有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202011461680.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
