[发明专利]一种制备高迁移率的n型单层硫掺杂石墨烯薄膜的方法在审
| 申请号： | 202011461808.1 | 申请日： | 2020-12-09 |
| 公开（公告）号： | CN112678810A | 公开（公告）日： | 2021-04-20 |
| 发明（设计）人： | 周宇;曹倪;李萍剑 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | C01B32/186 | 分类号： | C01B32/186;C01B32/194 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种制备高迁移率的n型单层硫掺杂石墨烯薄膜的方法，属于半导体材料制备技术领域。本发明以二苄基二硫同时作为碳源和硫源，以氢气/氩气为载气，采用双温区的化学气相沉积法制备方式，在铜箔基底上制备了单层硫掺杂石墨烯薄膜；本发明制备的单层硫掺杂石墨烯薄膜在空气中呈现典型的n型输运特性，同时具有优异的迁移率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制备 迁移率 单层 掺杂 石墨 薄膜 方法 | ||
【主权项】：
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