[发明专利]半导体器件制备方法及半导体器件在审
| 申请号： | 202011462122.4 | 申请日： | 2020-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN112242433A | 公开（公告）日： | 2021-01-19 |
| 发明（设计）人： | 李马惠;宋晓栋;师宇晨;张海超 | 申请（专利权）人： | 陕西源杰半导体技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/82 |
| 代理公司： | 北京华进京联知识产权代理有限公司 11606 | 代理人： | 樊春燕 |
| 地址： | 710000 陕西省西安市西*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本申请涉及一种半导体器件制备方法及半导体器件。首先提供基板；然后在所述基板表面形成电流选择层；沿着所述基板的延伸方向，所述电流选择层包括间隔设置的高阻态区和低阻态区，所述高阻态区和所述低阻态区通过光刻工艺制成。最后在所述电流选择层远离所述基板的一侧形成有源层，其中，沿着所述基板延伸的方向，所述有源层包括多个间隔设置的无增益区和有增益区，所述高阻态区与所述无增益区一一对应，所述低阻态区与所述有增益区一一对应。因此所述半导体器件制备方法不必考虑设置隔离器，从而减少了制备流程，提高了工作效率。进一步地，所述半导体器件还有效的降低半导体器件对端面波的敏感性。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制备 方法 | ||
【主权项】：
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