[发明专利]嵌入式存储工艺中逻辑器件隔离的制作方法在审
| 申请号： | 202011462727.3 | 申请日： | 2020-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN112635392A | 公开（公告）日： | 2021-04-09 |
| 发明（设计）人： | 刘俊文 | 申请（专利权）人： | 华虹半导体（无锡）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 王江富 |
| 地址： | 214028 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种嵌入式存储工艺中逻辑器件隔离的制作方法，包括以下步骤：在硅衬底上依次生成浮栅氧化层、浮栅多晶硅层、垫层氮化硅；进行浅槽隔离光刻；进行竖向干法刻蚀，去除浅槽隔离区域的垫层氮化硅及浮栅多晶硅，保留浮栅氧化层；进行酸蚀氮化硅沉积；进行竖向干法刻蚀，去除浅槽隔离处底部酸蚀氮化硅及其下毗连的部分硅衬底形成沟槽，并保留浮栅多晶硅近浅槽隔离侧的酸蚀氮化硅；进行浅槽隔离横向氮化硅酸槽蚀刻，去除浮栅多晶硅近浅槽隔离侧的酸蚀氮化硅；进行浅槽隔离氧化硅填充；进行化学机械研磨，形成逻辑器件隔离。本发明能确保嵌入式存储工艺中形成的逻辑器件保持和逻辑工艺形成的逻辑器件有一样的特性。 | ||
| 搜索关键词： | 嵌入式 存储 工艺 逻辑 器件 隔离 制作方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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